Basics of VLSI Design

带有图和图的VLSI的免费手册

该应用程序是带有图和图形的VLSI的完整免费手册。它是电子与通信工程教育的一部分，它带来了有关该主题的重要主题，注释，新闻和博客。将该应用程序作为此电子与通信工程主题的快速参考指南和电子书下载。

该应用程序详细介绍了VLSI设计的90多个主题。这些主题分为5个单元。

您可以在考试或访谈中很容易通过并取得成功，该应用程序可以快速修订和参考详细的闪存卡（例如详细的闪存卡）。

每个主题都配有图形表示图，方程式和其他形式的图形表示，以方便理解。此应用程序中涵盖的一些主题是：

1。半导体记忆：介绍和类型

2。仅阅读记忆（ROM）

3。三个晶体管DRAM细胞

4。一个晶体管DRAM细胞

5。闪存

6。低 - 功率CMOS逻辑电路：简介

7. CMOS逆变器的设计

8。MOS逆变器：开关特性简介

9。基于扫描的技术

10。内置的自我测试（BIST）技术

11。VLSI设计的历史前景：摩尔定律

12. CMOS数字电路类型的分类

13。电路设计示例

14。VLSI设计方法

15。VLSI设计流

16。设计层次结构

17。规律性，模块化和地方的概念

18。CMOS制造

19。制造过程流：基本步骤

20。NMOS晶体管的制造

21。CMOS制造：P-Well工艺

22。CMOS制造：N-Well过程

23. CMOS fabrication : twin tub process

24。棍子图和面具布局设计

25。MOS晶体管：物理结构

26。外部偏置下的MOS系统

27。MOSFET的结构和操作

28。阈值电压

29。MOSFET的当前电压特性

30。MOSFET缩放

31。缩放效果

32。小几何效应

33。MOS电容

34。MOS逆变器

35。MOS逆变器的电压传输特性（VTC）

36。具有N型MOSFET负载的逆变器

37。电阻负载逆变器

38。耗竭的逆变器的设计

39。CMOS逆变器

40。延迟时间定义

41。计算延迟时间

42。具有延迟约束的逆变器设计：示例

43。组合MOS逻辑电路：简介

44。耗尽NMOS负载的MOS逻辑电路：两输入或门

45。具有耗竭的NMOS负载的MOS逻辑电路：具有多个输入的广义或结构

46。耗尽NMOS负载的MOS逻辑电路：NOR GATE的瞬时分析

47。耗尽NMOS负载的MOS逻辑电路：两输入NAND门

48。具有耗竭的NMOS负载的MOS逻辑电路：具有多个输入的广义NAND结构

49。耗尽NMOS负载的MOS逻辑电路：NAND门的瞬时分析

50。CMOS逻辑电路：NOR2（两个输入nor）门

51。CMOSNAND2（两个输入NAND）门

52。简单CMOS逻辑门的布局

53。复杂的逻辑电路

54。复杂的CMOS逻辑门

55。复杂CMOS逻辑门的布局

56。AOI和OAI GATES

57。伪-NMOS大门

58。CMOS全加制和携带连锁加法器

59。CMOS传输门（通过门）

60。互补的传球逻辑（CPL）

61。顺序MOS逻辑电路：简介

62。双向元素的行为

63。SR闩锁电路

64。时钟SR闩锁

65。时钟JK闩锁

66。主奴隶触发器

67。CMOSD-latch和边缘触发的触发器

68。动态逻辑电路：简介

69。通过晶体管电路的基本原理

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